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NXP Semiconductors
PESD5V0S1ULD
Unidirectional ESD protection diode
240
006aac484
10
006aac485
C d
(pF)
200
I RM
I RM(25 ° C)
160
1
120
80
40
0
1
2
3
4
V R (V)
5
10 ? 1
? 100
? 50
0
50
100
T j ( ° C)
150
f = 1 MHz; T amb = 25 ° C
Fig 6.
Diode capacitance as a function of reverse
voltage; typical values
Fig 7.
Relative variation of reverse leakage current
as a function of junction temperature; typical
values
I
? V CL ? V BR ? V RWM
?
P-N
+
? I RM
? I R
? I PP
V
006aaa407
Fig 8.
V-I characteristics for a unidirectional ESD protection diode
PESD5V0S1ULD
Product data sheet
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Rev. 1 — 19 October 2010
? NXP B.V. 2010. All rights reserved.
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